當地時間周一，美國商務部國家標準及技術研究所官網貼出聲明，宣布與韓國三星電子達成一項初步協議，依據美國《芯片法案》提供至多64億美元的直接補貼。

來源：NIST

　　作為全球唯一一家同時在存儲芯片和邏輯芯片領域均處于領跑集團的公司，三星計劃在未來幾年內斥資超400億美元，建立一整套半導體研發和生產生態。

　　新建2nm工藝、HBM芯片封裝產能

　　根據三星與美國政府擬定的協議，韓國芯片巨頭準備新建兩座“世界領先的邏輯芯片廠”、一座研發中心和一個先進封裝設施，同時擴建三星原有的奧斯汀晶圓廠。

　　根據NIST的公告，奧斯汀工廠的擴建將支持全耗盡型絕緣體上硅(FD-SOI)工藝技術的生產，將用于航空航天和國防等關鍵領域。這項撥款還包括三星與美國國防部合作的承諾。

　　新建設施則位于得州的泰勒市。三星將在那里打造一整個半導體研發-生產生態，包括一個致力于比當前工藝節點“先進一代”的研發廠、兩座專注于大規模生產4nm和2nm工藝制程芯片的晶圓廠。還有一座為高帶寬內存進行3D封裝，以及具備2.5D芯片封裝能力的先進封裝設施，這兩項都是當下AI芯片急需的尖端產能。

　　公告指出，除了協議中提到的64億美元直接撥款外，三星還計劃申請美國財政部的投資稅收抵免，預期能夠覆蓋合規資本支出的25%。

　　據一名美國高級官員透露，通過這次補貼，三星將美國半導體工廠的投資額從170億美元提高至近450億美元。對于兩家先進邏輯芯片工廠，一家計劃于2026年投產，另一家與先進研發廠都將與2027年啟用。這名官員還表示，已經有“兩打供應商”表示將遷往美國，與三星半導體產業集群進行合作。

　　美國商務部長雷蒙多也在媒體吹風會上強調：“三星的一個先進邏輯芯片晶圓廠就有11個足球場那么大，現在他們要造兩個。”

　　三大巨頭都拿到錢了

　　隨著三星周一拿到美國的芯片補貼，再加上上周拿到錢的臺積電，以及3月底拿到撥款的美國本土公司英特爾，海外三大先進芯片制造巨頭都已經拿到補貼。此前由于補貼遲遲不到位，多家公司都傳出過延期或縮減投資規模的傳聞。

　　其中雖然三星拿到的補貼金額最低，但按照投資比例來看，卻是最高的一家。臺積電拿到《芯片法案》的66億美元補貼，公司準備在亞利桑那州鳳凰城投資650億美元設立三家芯片工廠;英特爾拿到85億美元，公司計劃未來五年內在美國投資超1000億美元。

　　與臺積電和英特爾不同，美國政府在公告中沒有提給予三星優惠貸款政策。不過韓國巨頭手里也有著龐大的現金儲備，截至12月底公司財報上的現金和可變現資產達到69.1萬億韓元(近500億美元)。

　　《芯片法案》里的建廠補貼總共有390億美元，這三家公司拿到的215億美元占到總額的近55%。

　　順便一提，全球排名第四的晶圓代工廠格芯(GlobalFoundries)也在2月拿到15億美元的美國建廠補貼。這部分屬于美國對成熟制程工藝擴產的補貼，Microchip科技、BAE系統公司也拿到了類似的款項。

　　按照美國商務部的說法，在上世紀90年代時，美國本土的芯片產量占全球的三分之一以上，到2020年只剩下12%。伴隨著《芯片法案》的投資，美國希望到2030年，能夠占到全球最先進邏輯芯片產能的20%。

　　在白宮發布的聲明中，拜登總統表示，通過這項投資協議，三星的先進半導體制造和研發將進入得州，為當地創造至少2.15萬個就業機會。這些設施將支持生產全世界最強大的一些芯片，對人工智能等先進技術至關重要。

來源：白宮

　　對于三星加大在美投資，首爾Eugene投資&證券公司的研究主管Lee Seung-woo表示，三星近期暫停了在平澤市的芯片工廠建設，這表明公司現在將重點放在美國市場，而不是韓國本土。